山東力冠升級PVT設備，引領8-12英寸碳化硅晶圓高效量產
2025-07-30
為突破大尺寸碳化硅（SiC）晶圓在生長效率、均勻性控制及成本方面的關鍵瓶頸，山東力冠微電子裝備有限公司近日正式發布其12英寸PVT電阻設備及8英寸多坩堝設備。為8-12英寸SiC晶圓的規模化、穩定化、低成本制備樹立了新的行業標桿。
均勻性保障：集成先進多溫區精準控制技術，有效確保晶格質量與厚度一致性，滿足嚴苛的量產質量要求。
效率倍增，成本銳減：
山東力冠微電子裝備憑借其深厚的技術積淀和快速響應的市場策略，已與國內多家頭部半導體企業建立起深度合作關系，并正積極拓展全球市場，國際影響力穩步提升。
展望未來，山東力冠微電子裝備將持續聚焦大尺寸、高性價比PVT設備的研發與迭代，致力于通過核心設備的技術突破，提升全球SiC產業鏈的效率與韌性，促進供應鏈多元化發展，為半導體材料的革新與廣泛應用持續提供關鍵動能。
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